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HBM MM ESD イミュニティテスター ESD 8K
ESD 8K は、人体モデル (HBM) と機械モデル (MM) の ESD イミュニティ試験の特性と要件に合わせて特別に設計されており、HBM 静電試験モデルと MM 静電試験モデルに分かれています。
リングウェーブジェネレーター RWI T6
リング波発生器は、リング波を受ける電気および電子機器、デバイス、またはシステムの性能を評価するために使用されます。リング波は、電源や制御線のスイッチや落雷などにより発生し、機器の端子に現れます。リング波は、機器やシステムの信頼性の高い動作に影響を与える可能性があります。製品は標準 IEC 61000-4-12 および GB/T 17626.12 の要件を満たすことができます。
単相リング波発生器
リング波発生器は、リング波を受ける電気および電子機器、デバイス、またはシステムの性能を評価するために使用されます。リング波は、電源や制御線のスイッチや落雷などにより発生し、機器の端子に現れます。リングウェーブは、機器やシステムの信頼性の高い動作に影響を与える可能性があります。製品は標準 IEC 61000-4-12 および GB/T 17626.12 の最新要件を完全に満たしています。
三相 6kV EFT/バースト発電機
過渡プロセスを切り替えると (誘導負荷、リレー接点のバウンスなどを遮断するため)、通常、同じ回路内の他の電気機器や電子機器に干渉します。このタイプの干渉は、振幅が大きく、立ち上がり時間が短く、繰り返し率が高く、エネルギーが低いという特徴があります。
単相 6kV EFT/バースト発電機
EFT/バースト発生器、過渡発生器、または電圧スパイク発生器は、電気的高速過渡バースト干渉を受けたときの電気および電子機器の電源、信号、制御およびアースポートの性能を評価するために使用されます。
三相 32A 電圧ディップ発生器
電圧の低下/低下、短時間の停電は、送電網、電力設備の故障、または負荷の突然の変化によって引き起こされます。場合によっては、2 回以上連続してロールオーバーまたは中断が発生することがあります。電圧変化は、系統に接続された負荷の継続的な変化によって引き起こされます。電圧降下発生器は、電圧低下、短時間停電、および電圧変化にさらされたときの電気および電子機器の性能を評価するために使用されます。
単相 20A 電圧ディップ発生器
電圧の低下/低下、短時間の停電は、送電網、電力設備の故障、または負荷の突然の変化によって引き起こされます。場合によっては、2 回以上連続してロールオーバーまたは中断が発生することがあります。
減衰振動磁場発生器
減衰振動磁場は、アイソレータまたは断路器による HV バスバーのスイッチングによって生成されます。機器が受ける磁場は、機器やシステムの信頼性の高い動作に影響を与える可能性があります。
三相リング波発生器
リング波は、電源や制御線のスイッチや落雷などにより発生し、機器の端子に現れます。リングウェーブは、機器やシステムの信頼性の高い動作に影響を与える可能性があります。リング波発生器は、リング波を受ける電気および電子機器、デバイス、またはシステムの性能を評価するために使用されます。機器は標準 IEC 61000-4-12 の要件を満たすことができます。
SPD テスト用サージ発生器
雷サージ発生器 SUR 350L は、サージ保護デバイス (SPD) や通信製品などの半導体向けに特別に設計された耐サージ試験デバイスです。機器は GR-1089- CORE およびその他の規格の最新の要件を完全に満たすことができます。
雷サージ発生器 SUR 1000L
雷サージ発生器 SUR 1000L は、サージ保護デバイスや通信製品などの半導体向けに特別に設計されています。機器は GR-1089- CORE およびその他の規格の最新の要件を完全に満たすことができます。
減衰振動波発生器
機器の端子に現れる減衰振動波は、主に、発電所、高中電圧変電所、および重工業機器のスイッチング動作に起因する反復可能な過渡現象です。機器やシステムの信頼性の高い動作に影響を与える可能性があります。